
公司12年來共研制開發(fā)出40余項半導體化合物材料:
碲系化合物:碲化銅(CuTe),碲化銦( InTe),碲化鋅(ZnTe),P/N三碲化二鉍(Bi2Te3),二氧化碲(TeO2)...
硫系化合物:三硫化二鎵(Ga2S3),二硫化鍺(GeS2),硫化鋅(ZnS),硫化錫(SnS),三硫化二銦(In2S3),硫化亞銅(Cu2S)...無氧硒及硒系化合物:三硒化二鎵(Ga2Se3),硒化亞銅(Cu2Se),三硒化二銦(In2Se3),硒化鋅(ZnSe),硒化鉍(Bi2Se3)...
氯系化合物:無水三氯化銦(InCl3),無水三氯化鎵(GaCl3),無水氯化亞銦(InCl)...
氧系化合物:
4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3),4N-5N氧化鋅(ZnO),5N-6N 三氧化二銦(In2O3),5N 三氧化二鉍(Bi2O3),4N-5N 三氧化二銻(Sb2O3)...銅銦鎵硒(CIGS)系列材料.靶材:氧化鋅靶,氧化鋅鋁靶,銅銦鎵硒靶,三硒化二銦靶,硒化亞銅靶材...
公司現(xiàn)有工藝及設備:
1,電解裝置4套:回收電解銅,電解鉛鋅礦的陽極泥;高純銦的電解,特別是除去里面的雜質錫。
2,真空蒸餾裝置12套:根據雜質不同的飽和蒸氣壓,采用真空蒸餾的方法將其去除。
3,區(qū)域熔煉爐10套。
4,單間提拉爐12套。
5,CVD 化學氣相沉積設備3套。
6,PVD裝置2套。
7,真空熔煉爐15套。
8,THM 移動式加熱設備。
9,氯... [
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